Полупроводниковая микросхема памяти нового типа
Полупроводниковая микросхема памяти может быть реализована в перспективных разработках компьютерных чипов памяти – постоянных и оперативных запоминающих устройствах (ЗУ). Новая технология позволяет в несколько раз уменьшить среднее время обращения к общей матрице памяти при сохранении стандартных параметров сигналов запроса и считывания информации.
Повышение быстродействия микросхемы памяти достигается за счет возможности независимого обращения к общему полю памяти микросхемы одновременно по восьми входным портам и независимого считывания информации по восьми соответствующим выходным шинам. При этом, помимо повышения быстродействия, упрощается процедура управления, т.к. не требуется создание схемы приоритета при возникновении конфликтных ситуаций (одновременного считывания или записи информации по одинаковым адресам).
Данная работа доведена до разработки электрической схемы ЗУ. Проведено моделирование схемы с целью проверки работоспособности технического решения и оценки временных характеристик. В результате отработана схема базового модуля ЗУ, на основе которого может быть создан чип памяти с любым заданным объемом информации и независимым числом адресных и выходных портов (до 8). При одинаковом объеме памяти у микросхемы нового типа по сравнению с обычной структурой среднее время обращения сокращается более чем в 4 раза, хотя время одного цикла обращения (запрос – считывание, запрос – запись ) увеличивается на 10 –15% .
Основное техническое преимущество чипов памяти нового типа следует ожидать при их использование в составе высокопроизводительных вычислительных комплексов с большим числом конфликтных ситуаций.
Техническое решение ЗУ защищено патентом в 1999 году.
Презентации: